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日本筑波大学与日本产业技术综合研究所（简称“产综研”）组成的研发小组，成功开发出了采用无机材料的高性能柔性热电薄膜。
该技术采用使铝层与SiGe层进行“层交换”的这种简单且新颖的工艺，将SiGe结晶所需的温度降低到了200℃稍多的温度，成功在塑料基板上直接合成了SiGe晶体层。获得的SiGe膜因其中含有铝原子而具备高电导性，作为热电转换性能指标的功率因数也达到了低温合成膜中的最高值。另外，样品弯曲状态也未发现功率因数出现降低的情况，证实具备高度柔软性。新开发的薄膜采用能耐受恶劣环境的无机材料制作，因此无需担心劣化。由于合成方法非常简单，所以是一项有望使柔性热电转换元件投入实际应用的革新性技术。
图：层交换法的模式图（左）和此次在塑料基板上形成的SiGe膜的照片（右）
文 客观日本编辑部
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