日本国立研究开发法人产业技术综合研究所（以下简称，产综研，AIST）11月5日宣布，已向日本国内企业和大学开放用于试制先进半导体的设备。装置制造商和材料制造商可以携带各自的技术，验证是否适用于先进半导体的制造工序。向企业等开放此类设备在日本国内尚为首次。
产综研“先进半导体研究中心”内的设备（供图：产综研）
这些设备可用于验证线宽2纳米（纳米为十亿分之一）以下半导体中使用的、被称为“全环绕栅极（GAA）”结构的要素技术。由于GAA为复杂的立体结构，技术开发难度较高，因此需要可用于试制和验证的设施。
在海外，比利时的国际研究开发机构imec以及美国纽约州的半导体研究机构“Albany NanoTech Complex”负责推进该技术的开发。产综研介绍说，从技术保密角度出发，日本企业使用这些设施存在一定困难。
开放的设施设在茨城县筑波市的“产综研先进半导体研究中心”内。以产综研为核心开发了对GAA结构不可或缺的成膜、刻蚀等制造技术，构筑了让企业能够进行试制和验证的环境。该设施支持产业主流的直径300毫米硅晶圆。
产综研理事长石村和彦表示“日本的装置制造商和材料制造商拥有优势，此举将促使它们能够根据各自需求实现更加灵活的开发。”从事半导体研究的大学也可使用这些设备。
原文：《日本经济新闻》、2025/11/18
翻译：JST客观日本编辑部
