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大幅延长车载用途的数据保存时间,日本东北大学开发成功1Xnm工艺用高可靠性MTJ

2019年06月20日 电子电气
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日本东北大学国际集成电子研发中心(简称“CIES”)的一个研究小组成功开发了用于高温环境下的1Xnm工艺高可靠性磁隧道结(MTJ),与采用以往技术开发的MTJ在125℃的工作温度下的数据保存时间相比,在 150℃工作温度下也能将数据保存时间延长至前者的100万倍。而150℃正是车载、社会基础设施等高温工作环境所需要的。

利用磁铁性质的非易失性存储器——磁性随机存取存储器(STT-MRAM)是实现低功耗电子的基础技术。利用现有技术,只能在符合普通电子设备要求的最大85℃的工作温度下获得足够的数据保存时间,因此用途仅限于普通消费类产品。为了在汽车和社会基础设施等严酷的环境下使用,就要开发在更高的工作温度下也能确保足够的数据保存时间的MTJ技术。

研究小组此次开发了一项新技术,通过优化四个界面的界面垂直磁特性,实现了可作为一个磁铁工作的新型元件。不过,拥有四个界面的i-PMA型MTJ(界面垂直磁各向异性MTJ)元件由于磁强度增强,存在写入电流增加的课题。为此,研究小组还开发了降低MTJ元件写入电流的技术。通过结合上述两项技术,使拥有四个界面的i-PMA型MTJ元件实现了与原来的双面i-PMA型MTJ元件相同的写入电流。由此在全球首次实现了在不增加写入电流的情况下,将负责稳定磁铁的i-PMA界面由原来的两个增加到四个(图1)。

大幅延长车载用途的数据保存时间,日本东北大学开发成功1Xnm工艺用高可靠性MTJ

图1:本次研究提出的拥有四重界面的i-PMA型四重界面MTJ元件(a)和原来的双重界面MTJ元件(b)。

研究小组利用四重界面MTJ结构,制作了直径为50~90纳米的MTJ元件,评测了热稳定性指数(决定数据保存时间的器件特性值)及写入电流(决定耗电量的器件特性值)。结果显示,随着界面由两个增至四个,第一个课题——热稳定性指数(数据保存特性)如预期一样增至约2倍(图2(a))。这是全球首次实现如此高的性能,与采用现有MTJ技术在125℃的工作温度下保存数据的时间相比,在150℃的运行环境下也能将数据保存时间延长至100万倍。另外,关于第二个课题写入电流,尽管随着界面由两个增至四个,屏障层的数量也增加了,但经过验证发现,能以与原来相同的写入电流工作(图2(b))。

大幅延长车载用途的数据保存时间,日本东北大学开发成功1Xnm工艺用高可靠性MTJ

图2:(a)本次研究制作的四重界面MTJ元件与原来的双重界面MTJ元件的热稳定性指数Δ(决定数据保存时间的器件特性值)比较。

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文:JST客观日本编辑部