发明高电子迁移率晶体管的三村高志等3位学者荣获2017年“京都奖”

其他 2017年06月26日

日本稻盛财团16日公布了授予半导体工学家日本富士通研究所名誉研究员三村高志等3人今年度“京都奖”。

三村高志获得了尖端科学技术部门奖,澳大利亚国立大学特别教授格雷厄姆·法夸尔获得了基础科学部门奖,美国加州大学伯克利分校名誉教授理查德·塔鲁斯金获得了思想·艺术部门奖 。颁奖仪式将于今年11月10日在京都市国立京都国际会馆举行,获奖者将分别被授予奖状、京都奖奖章和5000万日元(约合300万元人民币)的奖金。

2017年京都奖获奖者(稻盛财团提供)

2017年京都奖获奖者

左起三村高志博士,格雷厄姆·法夸尔博士,理查德·塔鲁斯金博士。

三村高志发明了层合2种半导体的新构造的高电子迁移率晶体管(HEMT,High Electron Mobility Transistor),显示了该晶体管由于提高了传导层内的电子迁移率,因而具备了优越的高频特性。这项发明对信息通讯技术的发展做出了重大贡献,并促进了极薄传导层内电子物性研究的发展被认为是获奖的理由。

三村高志1970年读完大阪大学研究生院基础工学研究科硕士课程后进富士通株式会社工作;后到株式会社富士通研究所工作,从1998年起任该研究所研究员,从2017年起任名誉研究员。自2006年起兼任国立研究开发法人情报通信研究机构(NICT)客座研究员,从2016年起担任该机构未来ICT研究所统括特别研究员。工学博士。三村高志发明的HEMT作为支撑信息通讯社会的超高速元件已被广泛应用于卫星广播接收器、手机及其基站、卫星定位系统(GPS)信号接收器、汽车防冲突用毫米波雷达等领域。

澳大利亚国立大学特别教授格雷厄姆·法夸尔的得奖理由是开发了光合作用碳同化反应的机能模型,使预测植被与大气之间二氧化碳转换的环境循应答成为可能,为环境科学和气候变化科学的发展作出了贡献。美国加州大学伯克利分校名誉教授理查德·塔鲁斯金的得奖是因为他通过超越以往的历史记述方法的崭新的音乐史研究和有渊博的知识做后盾的尖锐的评论,促进了音乐观的变革。

文/ 客观日本编辑部

参考资料(日语)
稲盛財団プレスリリース「第33回(2017)京都賞受賞者の決定」

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